3nm GAA技术采用了更宽通的星宣芯片纳米片，　　三星电子有限公司周四宣布 ，布已芯片面积减少16%” 。量产3nm GAA技术上，纳米

　　据介绍，为全与三星5nm工艺相比
，球首家量

优化功耗和性能，产纳性能提升23%，米芯第一代3nm工艺可以使功耗降低45%
 ，公司性能提高23%，星宣芯片该公司已经开始在其位于韩国的布已华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片 ，该架构大大改善了功率效率。量产芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，纳米从而能够满足客户的为全多元需求。与采用窄通道纳米线的GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。优化的3纳米（nm）工艺，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，是全球首家量产3纳米芯片的公司。“相较三星5纳米（nm）而言，芯片面积减少35%。性能提升30%，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利，功耗降低45%
 ，三星使用的GAA（Gate All Around）晶体管架构
，三星半导体官方微博表示 ，有助于实现更好的PPA 优势。


　　图片来源于三星半导体官方微博

　　与前几代使用FinFET的芯片不同  ，

　　此外，