即首先建造一个无尘室,星电三星于 10 月 3 日(当地时间)在旧金山首次披露这一技术路线图。目标为此
,到年
其目标是将芯到 2027 年将其生产能力提高三倍以上。3 纳米芯片的片代功耗降低了 45%
,性能提高了 23%,工厂在 2025 年开始量产 2 纳米 ,提高这家芯片制造商正在推行“外壳优先”战略
,倍上然后在市场需求出现时灵活地运营该设施。星电我们已经获得了建造 10 多座工厂的目标
场地。

该公司代工业务部技术开发部副总裁 Jeong Ki-tae 表示
,到年三星电子今年在世界范围内首次成功地量产了基于 GAA 技术的将芯 3 纳米芯片
,三星电子计划在 2023 年推出第二代 3 纳米工艺,片代面积减少了 16%。工厂 据 BusinessKorea 报道,提高在 2027 年推出 1.4 纳米工艺
,
三星电子还计划不遗余力地扩大其芯片代工厂的生产能力,
”
IT之家了解到,与 5 纳米芯片相比,
三星电子代工业务部总裁 Choi Si-young 称
:“我们正在韩国和美国经营五家工厂,三星电子 10 月 20 日在首尔江南区举行了 2022 年三星代工论坛
。